關(guān)于發(fā)布上海市2024年度“科技創(chuàng)新行動計(jì)劃”超導(dǎo)領(lǐng)域技術(shù)攻關(guān)項(xiàng)目申報(bào)指南的通知

　滬科指南〔2024〕22號

各有關(guān)單位：

　　為加快建設(shè)具有全球影響力的科技創(chuàng)新中心，推動超導(dǎo)領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，培育發(fā)展未來產(chǎn)業(yè)，根據(jù)《上海市建設(shè)具有全球影響力的科技創(chuàng)新中心“十四五”規(guī)劃》，上海市科學(xué)技術(shù)委員會特發(fā)布本指南。

　　一、征集范圍

　　專題一、超導(dǎo)材料技術(shù)

　　方向1：基于離子輻照的超導(dǎo)帶材強(qiáng)場性能提升技術(shù)研究

　　研究目標(biāo)：開發(fā)連續(xù)離子輻照工藝，提升高溫超導(dǎo)帶材強(qiáng)磁場性能，實(shí)現(xiàn)百米級超導(dǎo)帶材批量化生產(chǎn)(帶材Je達(dá)到1000 A/mm2@20K/20T，抗拉強(qiáng)度>500MPa@77K)。

　　研究內(nèi)容：研究離子輻照磁通釘扎優(yōu)化技術(shù)，闡明強(qiáng)磁場下不同維度釘扎中心的協(xié)同作用機(jī)制，開發(fā)卷對卷離子束輻照工藝，研制強(qiáng)場用高性能高溫超導(dǎo)帶材，并進(jìn)行測試驗(yàn)證。

　　執(zhí)行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個項(xiàng)目，資助額度不超過500萬元，企業(yè)自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。

　　申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。

　　方向2：強(qiáng)場動態(tài)磁體用超導(dǎo)帶材性能提升技術(shù)研究

　　研究目標(biāo)：面向高溫超導(dǎo)動態(tài)磁體交變負(fù)載運(yùn)行工況，研制高性能超導(dǎo)帶材，實(shí)現(xiàn)百米級超導(dǎo)帶材批量化生產(chǎn)(Ic>750A/4mm@20K/5T;循環(huán)加載值為500MPa的萬次拉伸應(yīng)力后，Ic衰減<10%)。

　　研究內(nèi)容：開展超導(dǎo)帶材多場耦合的結(jié)構(gòu)仿真和性能表征，解析高溫超導(dǎo)材料在20K有效缺陷結(jié)構(gòu)，研究超導(dǎo)帶材電-熱-力穩(wěn)定性提升工藝，制備高性能帶材并進(jìn)行測試驗(yàn)證。

　　執(zhí)行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個項(xiàng)目，資助額度不超過500萬元，企業(yè)自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。

　　申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。

　　方向3：大尺寸超導(dǎo)靶材批量化制備技術(shù)研究

　　研究目標(biāo)：研制大尺寸高溫超導(dǎo)鍍膜靶材(直徑≥254mm,致密度達(dá)到理論密度的85%以上，純度≥99.9%)，實(shí)現(xiàn)百米級超導(dǎo)帶材連續(xù)制備(臨界電流Ic≥120A/4mm@77K，Ic均勻性在±10%以內(nèi))。

　　研究內(nèi)容：研究大尺寸、高純度、組分可調(diào)的超導(dǎo)靶材批量化制備關(guān)鍵技術(shù)，建立高性能靶材檢測與評價體系，開展定制化靶材的高性能超導(dǎo)薄膜鍍制工藝研究。

　　執(zhí)行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個項(xiàng)目，資助額度不超過200萬元，企業(yè)自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。

　　申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。

　　專題二、超導(dǎo)磁體技術(shù)

　　方向4：高溫超導(dǎo)中心螺線管模型磁體交流損耗特性研究

　　研究目標(biāo)：厘清高溫超導(dǎo)中心螺線管磁體交流損耗形成機(jī)制，研制聚變用模型磁體，20K下最高磁場>10T，自場磁體變化率>3T/s，背景磁場變化率>0.15T/s，新型結(jié)構(gòu)磁體交流損耗下降70%以上。

　　研究內(nèi)容：開展高溫超導(dǎo)聚變中心螺線管模型磁體的電磁特性模擬與結(jié)構(gòu)綜合優(yōu)化，獲取磁體核心工藝窗口并試制模型磁體，研究磁體交流損耗形成機(jī)制，搭建交流損耗測試平臺并進(jìn)行驗(yàn)證。

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個項(xiàng)目，資助額度不超過500萬元。

　　執(zhí)行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

　　方向5：20K溫區(qū)高效制冷機(jī)技術(shù)研究

　　研究目標(biāo)：開展20K溫區(qū)制冷機(jī)研制，實(shí)現(xiàn)單臺制冷量>50W、比卡諾效率>8.5%、無故障運(yùn)行時間>10000小時，制備樣機(jī)并開展應(yīng)用驗(yàn)證。

　　研究內(nèi)容：研究20K制冷循環(huán)損失機(jī)理、高效優(yōu)化設(shè)計(jì)策略、故障和失效模式以及長壽命保障措施，研制20K制冷機(jī)并開展應(yīng)用驗(yàn)證。

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過2個項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過200萬元。

　　執(zhí)行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

　　專題三、超導(dǎo)應(yīng)用技術(shù)

　　方向6：大尺寸高溫超導(dǎo)薄膜生長技術(shù)及其應(yīng)用器件研究

　　研究目標(biāo)：研究高溫超導(dǎo)薄膜磁控濺射法生長技術(shù)(尺寸≥2英寸、厚度5-70nm、表面粗糙度≤2nm、JC≥2MA/cm2@77K)，制備高溫超導(dǎo)SQUID器件(噪聲≤50fT/Hz1/2)并測試驗(yàn)證。

　　研究內(nèi)容：研究高溫超導(dǎo)薄膜磁控濺射生長工藝及薄膜品質(zhì)的構(gòu)效關(guān)系，揭示薄膜物性與超導(dǎo)電子器件性能之間的關(guān)聯(lián)，進(jìn)而研制高溫超導(dǎo)量子干涉器件，并開展物探測試驗(yàn)證。

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個項(xiàng)目，資助額度不超過200萬元。

　　執(zhí)行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

　　方向7：面向鎂合金形變熱處理的高溫超導(dǎo)應(yīng)用技術(shù)研究

　　研究目標(biāo)：面向航天裝備輕量化需求，開發(fā)基于3T高溫超導(dǎo)磁感應(yīng)的鎂合金快速均勻熱輸入裝置，研究高溫超導(dǎo)形變熱處理技術(shù)，制備大尺寸高性能鎂合金鍛件。

　　研究內(nèi)容：優(yōu)化大體積鎂合金的均勻快速熱輸入裝置設(shè)計(jì)，調(diào)控高溫超導(dǎo)強(qiáng)磁場環(huán)境，研究微觀組織結(jié)構(gòu)形成與演化規(guī)律及其對力學(xué)性能的作用機(jī)制，研制直徑>800mm、抗拉強(qiáng)度>450MPa的高性能鎂合金鍛件。

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個項(xiàng)目，資助額度不超過200萬元。

　　執(zhí)行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

　　二、申報(bào)要求

　　除滿足前述相應(yīng)條件外，還須遵循以下要求：

　　1.項(xiàng)目申報(bào)單位應(yīng)當(dāng)是注冊在本市的法人或非法人組織，具有組織項(xiàng)目實(shí)施的相應(yīng)能力。

　　2.對于申請人在以往市級財(cái)政資金或其他機(jī)構(gòu)(如科技部、國家自然科學(xué)基金等)資助項(xiàng)目基礎(chǔ)上提出的新項(xiàng)目，應(yīng)明確闡述二者的異同、繼承與發(fā)展關(guān)系。

　　3.所有申報(bào)單位和項(xiàng)目參與人應(yīng)遵守科研誠信管理要求，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人應(yīng)承諾所提交材料真實(shí)性，申報(bào)單位應(yīng)當(dāng)對申請人的申請資格負(fù)責(zé)，并對申請材料的真實(shí)性和完整性進(jìn)行審核，不得提交有涉密內(nèi)容的項(xiàng)目申請。

　　4.申報(bào)項(xiàng)目若提出回避專家申請的，須在提交項(xiàng)目可行性方案的同時，上傳由申報(bào)單位出具公函提出回避專家名單與理由。

　　5.所有申報(bào)單位和項(xiàng)目參與人應(yīng)遵守科技倫理準(zhǔn)則。擬開展的科技活動應(yīng)進(jìn)行科技倫理風(fēng)險評估，涉及科技部《科技倫理審查辦法(試行)(國科發(fā)監(jiān)〔2023〕167號)第二條所列范圍科技活動的，應(yīng)按要求進(jìn)行科技倫理審查并提供相應(yīng)的科技倫理審查批準(zhǔn)材料。

　　6.已作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人承擔(dān)市科委科技計(jì)劃在研項(xiàng)目2項(xiàng)及以上者，不得作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人申報(bào)。

　　7.項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)預(yù)算編制應(yīng)當(dāng)真實(shí)、合理，符合市科委科技計(jì)劃項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)管理的有關(guān)要求。

　　三、申報(bào)方式

　　1.項(xiàng)目申報(bào)采用網(wǎng)上申報(bào)方式，無需送交紙質(zhì)材料。申請人通過“中國上海”門戶網(wǎng)站(http://www.sh.gov.cn)--政務(wù)服務(wù)--點(diǎn)擊“上海市財(cái)政科技投入信息管理平臺”進(jìn)入申報(bào)頁面，或者直接通過域名https://czkj.sheic.org.cn/進(jìn)入申報(bào)頁面：

　　【初次填寫】使用“一網(wǎng)通辦”登錄(如尚未注冊賬號，請先轉(zhuǎn)入“一網(wǎng)通辦”注冊賬號頁面完成注冊)，進(jìn)入申報(bào)指南頁面，點(diǎn)擊相應(yīng)的指南專題，進(jìn)行項(xiàng)目申報(bào);

　　【繼續(xù)填寫】使用“一網(wǎng)通辦”登錄后，繼續(xù)該項(xiàng)目的填報(bào)。

　　有關(guān)操作可參閱在線幫助。

　　2.項(xiàng)目網(wǎng)上填報(bào)起始時間為2024年9月25日9:00，截止時間(含申報(bào)單位網(wǎng)上審核提交)為2024年10月17日16:30。

　　四、評審方式

　　采用一輪通訊評審方式。

　　五、立項(xiàng)公示

　　上海市科委將向社會公示擬立項(xiàng)項(xiàng)目清單，接受公眾異議。

　　六、咨詢電話

　　服務(wù)熱線：8008205114(座機(jī))、4008205114(手機(jī))

　　上海市科學(xué)技術(shù)委員會

　　2024年9月14日